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國產TVS二極管技術新突破：薩科微SMF7.5A亮相SEMICON China 2025
  • 更新日期： 2025-03-27
  • 瀏覽次數： 910
3月26-28日，全球半導體行業矚目的"跨界全球·心芯相聯"SEMICON/FPD China 2025在上海新國際博覽中心盛大舉辦。作為亞洲規模最大的半導體行業盛會，本屆展會吸引了來自全球的1200多家企業參展，集中展示了半導體制造、設計、材料、設備等領域的最新技術成果。在這場行業盛宴中，國內知名半導體企業薩科微(S……
國產芯片助力AI降本增效：薩科微SMF33A TVS二極管的創新應用
  • 更新日期： 2025-03-27
  • 瀏覽次數： 584
近日，螞蟻集團宣布成功利用中國自主研發的芯片技術，將其AI模型訓練成本降低20%。這一突破性進展不僅展示了中國半導體產業的快速進步，也為整個電子產業鏈帶來了新的發展機遇。在這一背景下，薩科微(Slkor)等國內半導體企業正通過創新產品為電子設備提供關鍵保護——其明星產品SMF33A瞬態抑制二極管(TVS)正是國產芯片技……
當DUV光源照亮國產芯片，誰在守護光與電的邊界？
  • 更新日期： 2025-03-27
  • 瀏覽次數： 567
中科院全固態深紫外（DUV）光源技術的突破，讓國產光刻機核心部件的自主化進程向前邁進一大步。然而，在光刻機內部精密的光電轉換系統中，一個常被忽視的真相是：每束DUV光子的精準投射，都離不開納米級瞬態電壓的嚴密守護。薩科微半導體推出的P6SMB20CA瞬態抑制二極管，正以“光電邊界守衛者”的姿態，成為國產半導體裝備突破的……
AI芯片突破背后，半導體防護元件如何護航算力革命？
  • 更新日期： 2025-03-27
  • 瀏覽次數： 718
近日，珠海皓澤科技自研的超效能存算一體AI芯片VVT300成功流片的消息，在半導體圈掀起熱議。這款芯片以突破性的能效比和算力集成度，成為國產AI芯片崛起的標志性事件。然而，在算力狂飆的表象之下，一個常被忽視的真相是：每一次芯片性能的躍升，都離不開防護元件的靜默守護。薩科微半導體推出的SLESD5Z36瞬態抑制二極管，正……
SLPESD24VS1U瞬態抑制二極管：高壓場景下的精密防護方案
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 909
在工業自動化、汽車電子及通信電源等高壓應用場景中，瞬態電壓事件對電路可靠性的威脅尤為顯著。SLPESD24VS1U作為一款專為24V系統設計的高壓瞬態抑制（TVS）二極管，通過參數優化實現了對浪涌脈沖、ESD及感性負載切換的精準防護。其24V反向工作電壓、50pF結電容及SOD-523封裝特性，使其成為高壓、緊湊型電子……
SLESD5302F-3TR瞬態抑制二極管：低功耗、高頻電路保護的精密設計
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 918
在電子設備向低功耗、高頻化方向發展的背景下，瞬態電壓抑制（TVS）二極管作為關鍵防護元件，需同時滿足低電容、高靈敏度與小型化需求。SLESD5302F-3TR作為一款專為低壓高速場景設計的TVS二極管，通過參數優化實現了對靜電放電（ESD）、電感負載瞬變及浪涌脈沖的精準抑制，成為現代電子設計的優選方案。
瞬態抑制二極管護航氮化鎵革命：SLESDL0603-12如何成為100nm硅基氮化鎵工藝的"隱形保險絲"
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 988
九峰山實驗室發布的100nm硅基氮化鎵商用工藝設計套件，標志著第三代半導體技術正式邁入亞百納米時代。這項突破使氮化鎵功率器件的導通電阻降低40%，開關頻率突破1GHz大關，為5G基站、車載激光雷達和消費電子快充領域打開了效率革命的大門。然而，實驗室數據揭示了一個關鍵矛盾：當氮化鎵晶體管柵極長度縮短至100nm量級時，其……
瞬態抑制二極管賦能鈣鈦礦LED：薩科微器件護航納米級光電革命
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 711
當浙江大學將鈣鈦礦LED推進至90納米量級，全球光電領域正迎來一場關于"極限"的競賽。這項突破不僅意味著LED可像紙張般輕薄、如手機屏幕般彎曲，更預示著未來顯示與照明技術將突破傳統物理形態的桎梏。然而，在這場納米級光電革命的背后，一個容易被忽視的真相是：每毫米厚度的減少，都伴隨著材料對電壓波動的敏感性呈指數級增長。而薩……
P6SMB39CA瞬態抑制二極管：電源設備的精準防護衛士
  • 更新日期： 2025-03-22
  • 瀏覽次數： 776
在電源系統向高頻化、高可靠性演進的過程中，瞬態電壓抑制技術已成為保障設備安全運行的最后一道防線。薩科微公司推出的P6SMB39CA瞬態抑制二極管（TVS），以其精準的電壓控制能力和優異的瞬態響應特性，為39V電源系統提供了革命性的保護方案。這款器件通過半導體工藝的突破，在納米級尺度上實現了對過電壓事件的精準打擊，正在重……
P6SMB36CA瞬態抑制二極管：電源設備的精密保護專家
  • 更新日期： 2025-03-22
  • 瀏覽次數： 842
在電源設備向高頻化、高可靠性發展的趨勢下，瞬態電壓抑制技術已成為保障系統穩定運行的關鍵防線。薩科微公司推出的P6SMB36CA瞬態抑制二極管（TVS），以其精準的電壓控制能力和優異的瞬態響應特性，為36V電源系統提供了革命性的保護方案。這款器件通過半導體工藝的突破，在納米級尺度上實現了對過電壓事件的精準打擊，正在重塑電……
P6SMB33CA技術解析：重新定義瞬態抑制二極管性能邊界
  • 更新日期： 2025-03-20
  • 瀏覽次數： 1007
在功率電子系統的防護體系中，瞬態抑制二極管（TVS）如同精密的電壓閥門，在納秒級時間內完成從截止態到導通態的切換。薩科微半導體推出的P6SMB33CA，以其突破性的參數組合，正在重塑過電壓保護器件的技術標準。這款專為高可靠性場景設計的TVS二極管，通過四大核心參數的協同優化，展現出超越傳統產品的防護效能。
中國"芯"突破：從薩科微P6SMB30CA看半導體品牌的崛起密碼
  • 更新日期： 2025-03-20
  • 瀏覽次數： 1008
?在全球數字化浪潮席卷的今天，半導體作為現代工業的"糧食"，正成為大國科技博弈的核心戰場。當品牌金融發布的"全球半導體品牌價值30強"榜單將中國半導體品牌推至全球第二的位置時，這一數字不僅彰顯著中國"芯"力量的集體突圍，更預示著全球半導體版圖正在發生深刻重構。在這場沒有硝煙的戰爭中，深圳薩科微半導體推出的P6SMB30……

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