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碳化硅器件
碳化硅SiC是一種由硅Si和碳C構成的化合物半導體材料,通常采用4H-SiC晶型。其絕緣擊穿場強是硅Si的10倍,能隙是硅Si的3倍,導熱系數是硅Si的3倍,飽和飄移速度是硅Si的2.7倍。是比硅Si優越非常多的功率電子器件材料。
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