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技術交流

Technology Exchange
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當DUV光源照亮國產芯片，誰在守護光與電的邊界？
  • 更新日期： 2025-03-27
  • 瀏覽次數： 560
中科院全固態深紫外（DUV）光源技術的突破，讓國產光刻機核心部件的自主化進程向前邁進一大步。然而，在光刻機內部精密的光電轉換系統中，一個常被忽視的真相是：每束DUV光子的精準投射，都離不開納米級瞬態電壓的嚴密守護。薩科微半導體推出的P6SMB20CA瞬態抑制二極管，正以“光電邊界守衛者”的姿態，成為國產半導體裝備突破的……
AI芯片突破背后，半導體防護元件如何護航算力革命？
  • 更新日期： 2025-03-27
  • 瀏覽次數： 712
近日，珠海皓澤科技自研的超效能存算一體AI芯片VVT300成功流片的消息，在半導體圈掀起熱議。這款芯片以突破性的能效比和算力集成度，成為國產AI芯片崛起的標志性事件。然而，在算力狂飆的表象之下，一個常被忽視的真相是：每一次芯片性能的躍升，都離不開防護元件的靜默守護。薩科微半導體推出的SLESD5Z36瞬態抑制二極管，正……
SLPESD24VS1U瞬態抑制二極管：高壓場景下的精密防護方案
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 900
在工業自動化、汽車電子及通信電源等高壓應用場景中，瞬態電壓事件對電路可靠性的威脅尤為顯著。SLPESD24VS1U作為一款專為24V系統設計的高壓瞬態抑制（TVS）二極管，通過參數優化實現了對浪涌脈沖、ESD及感性負載切換的精準防護。其24V反向工作電壓、50pF結電容及SOD-523封裝特性，使其成為高壓、緊湊型電子……
SLESD5302F-3TR瞬態抑制二極管：低功耗、高頻電路保護的精密設計
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 908
在電子設備向低功耗、高頻化方向發展的背景下，瞬態電壓抑制（TVS）二極管作為關鍵防護元件，需同時滿足低電容、高靈敏度與小型化需求。SLESD5302F-3TR作為一款專為低壓高速場景設計的TVS二極管，通過參數優化實現了對靜電放電（ESD）、電感負載瞬變及浪涌脈沖的精準抑制，成為現代電子設計的優選方案。
瞬態抑制二極管護航氮化鎵革命：SLESDL0603-12如何成為100nm硅基氮化鎵工藝的"隱形保險絲"
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 984
九峰山實驗室發布的100nm硅基氮化鎵商用工藝設計套件，標志著第三代半導體技術正式邁入亞百納米時代。這項突破使氮化鎵功率器件的導通電阻降低40%，開關頻率突破1GHz大關，為5G基站、車載激光雷達和消費電子快充領域打開了效率革命的大門。然而，實驗室數據揭示了一個關鍵矛盾：當氮化鎵晶體管柵極長度縮短至100nm量級時，其……
瞬態抑制二極管賦能鈣鈦礦LED：薩科微器件護航納米級光電革命
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 706
當浙江大學將鈣鈦礦LED推進至90納米量級，全球光電領域正迎來一場關于"極限"的競賽。這項突破不僅意味著LED可像紙張般輕薄、如手機屏幕般彎曲，更預示著未來顯示與照明技術將突破傳統物理形態的桎梏。然而，在這場納米級光電革命的背后，一個容易被忽視的真相是：每毫米厚度的減少，都伴隨著材料對電壓波動的敏感性呈指數級增長。而薩……
P6SMB39CA瞬態抑制二極管：電源設備的精準防護衛士
  • 更新日期： 2025-03-22
  • 瀏覽次數： 771
在電源系統向高頻化、高可靠性演進的過程中，瞬態電壓抑制技術已成為保障設備安全運行的最后一道防線。薩科微公司推出的P6SMB39CA瞬態抑制二極管（TVS），以其精準的電壓控制能力和優異的瞬態響應特性，為39V電源系統提供了革命性的保護方案。這款器件通過半導體工藝的突破，在納米級尺度上實現了對過電壓事件的精準打擊，正在重……
P6SMB36CA瞬態抑制二極管：電源設備的精密保護專家
  • 更新日期： 2025-03-22
  • 瀏覽次數： 837
在電源設備向高頻化、高可靠性發展的趨勢下，瞬態電壓抑制技術已成為保障系統穩定運行的關鍵防線。薩科微公司推出的P6SMB36CA瞬態抑制二極管（TVS），以其精準的電壓控制能力和優異的瞬態響應特性，為36V電源系統提供了革命性的保護方案。這款器件通過半導體工藝的突破，在納米級尺度上實現了對過電壓事件的精準打擊，正在重塑電……
P6SMB33CA技術解析：重新定義瞬態抑制二極管性能邊界
  • 更新日期： 2025-03-20
  • 瀏覽次數： 1002
在功率電子系統的防護體系中，瞬態抑制二極管（TVS）如同精密的電壓閥門，在納秒級時間內完成從截止態到導通態的切換。薩科微半導體推出的P6SMB33CA，以其突破性的參數組合，正在重塑過電壓保護器件的技術標準。這款專為高可靠性場景設計的TVS二極管，通過四大核心參數的協同優化，展現出超越傳統產品的防護效能。
中國"芯"突破：從薩科微P6SMB30CA看半導體品牌的崛起密碼
  • 更新日期： 2025-03-20
  • 瀏覽次數： 1004
?在全球數字化浪潮席卷的今天，半導體作為現代工業的"糧食"，正成為大國科技博弈的核心戰場。當品牌金融發布的"全球半導體品牌價值30強"榜單將中國半導體品牌推至全球第二的位置時，這一數字不僅彰顯著中國"芯"力量的集體突圍，更預示著全球半導體版圖正在發生深刻重構。在這場沒有硝煙的戰爭中，深圳薩科微半導體推出的P6SMB30……
半導體產業的務實進化：技術深耕與生態整合的雙輪驅動
  • 更新日期： 2025-03-20
  • 瀏覽次數： 625
東莞薩科微半導體實驗室里，工程師正在對新款P6SMB27CA瞬態抑制二極管進行可靠性驗證。測試數據顯示：27V反向截止電壓形成基礎防護屏障，25.7-28.4V的擊穿電壓區間確保精確響應，1mA漏電流控制展現優異電性能，而23.1V的最大鉗位電壓較同類產品降低15%。這些參數背后，是中國半導體企業在元器件領域持續深耕的……
半導體雙軌突圍：技術深耕與資本賦能的中國突圍戰
  • 更新日期： 2025-03-20
  • 瀏覽次數： 880
?在全球半導體產業博弈進入白熱化的今天，中國半導體企業正通過兩條平行戰線展開突圍：一條是元器件廠商以硬核技術突破國際封鎖，另一條是頭部企業通過資本運作構建戰略縱深。薩科微半導體推出的P6SMB24CA瞬態抑制二極管與紫光股份啟動香港第二上市計劃，恰似中國半導體產業"技術攻堅+資本突圍"戰略的微觀注腳。

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