1）可靠的柵極，能承受±20V柵極電壓。高閾值電壓，無需負壓驅動。

2）高開關速度，低開關損耗。

3）與SiC或者E-mode GaN相比，具有更低Vsd壓降，死區損耗低。

4）極低的反向恢復電荷。

5）動態內阻低。

6）能承受800V瞬態電壓應力。

該70mohm產品有多種封裝方式，滿足不同拓撲、安裝方式和散熱需求。