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“通信電子與信息化專家”張武軍先生為金航標kinghelm銷售團隊射頻微波和5G通信應用知識培訓
  • 更新日期: 2022-11-30
  • 瀏覽次數: 2308
2022年11月26日上午,深圳市“通信電子與信息化”專家,深圳科宇泰有限公司總經理,應金航標電子公司總經理宋仕強先生的邀請,蒞臨位于龍崗區坂田街道萬科城社區百瑞達大廈的金航標www.kinghelm.com.cn公司總部的會議室,為金航標的銷售團隊講解了一場全面生動的的有關射頻微波5G應用知識的培訓。 ……
運算放大器(運放)都有哪些類型?
  • 更新日期: 2022-11-30
  • 瀏覽次數: 6249
運算放大器類型可根據參數大體可分為通用型、低溫漂型、高速型、高阻型、高壓大功率型、低功耗型、可編程控制型,根據輸入/輸出電壓范圍的差異,可分為雙電源運算放大器、單電源運算放大器、軌到軌運算放大器。
運算放大器是什么,該如何選用?
  • 更新日期: 2022-11-30
  • 瀏覽次數: 2726
運算放大器(Operational Amplifier)又名:運放,內含多級放大電路的電子集成電路,是一種具有很高放大倍數的電路單元。輸入級是差分放大電路,具有高輸入電阻和抑制零點漂移能力;中間級主要進行電壓放大,具有高電壓放大倍數,一般由共射極放大電路構成;輸出極與負載相連,具有帶載能力強、低輸出電阻特點。
詳解兆易創新首顆車規級MCU
  • 更新日期: 2022-11-29
  • 瀏覽次數: 2804
近日,兆易創新科技集團股份有限公司生態市場經理徐杰在芯師爺主辦的第四屆硬核中國芯領袖峰會暨2022汽車芯片技術創新與應用論壇上做了《GD32 MCU加速構建汽車電子新生態》的演講。 徐杰重點介紹了兆易創新在今年9月份推出的基于Arm Cortex-M33內核的首款車規級MCU的主要性能,以……
成都恒利泰科技黃偉為金航標薩科微業務員培訓——如何高效溝通
  • 更新日期: 2022-11-29
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2022年11月26日下午,在金航標www.kinghelm.com.cn薩科微www.xjgouwu.cn新總部神舟電腦大廈20樓的會議室,應宋是強先生之約,恒利泰科技公司總經理黃偉先生為金航標薩科微公司銷售員進行了一場別開生面的培訓,主題是“如何高效溝通”。 金航標kinghelm薩科微slk……
IGBT是什么?都有哪些特點?
  • 更新日期: 2022-11-29
  • 瀏覽次數: 5737
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)也稱為:絕緣柵雙極晶體管,IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
何為SiC功率模塊?
  • 更新日期: 2022-11-29
  • 瀏覽次數: 3739
何為SiC功率模塊?隨著近年來,對半導體材料的要求及性能的不斷提高,單個功率器件已無法完全滿足需求,于是就有了功率模塊的出現,SiC功率模塊則是為了滿足對材料要求更高的電子電路所設計的,接下來跟隨薩科微小編詳細了解一下。
中國半導體行業協會常務副理事長兼秘書長張立:中國集成電路產業呈現蓬勃發展態勢
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 瀏覽次數: 1768
11月17日,由工業和信息化部、安徽省人民政府共同主辦的2022世界集成電路大會在安徽省合肥市召開。作為大會高峰論壇之一,2022(第五屆)全球IC企業家大會同日舉行。中國半導體行業協會常務副理事長兼秘書長、中國電子信息產業發展研究院院長張立在演講時表示,數字經濟發展和新興應用驅動半導體產業進入快速發展的黃金時代,全球……
分析汽車轉向燈電路設計
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 瀏覽次數: 3278
簡單介紹 今天要設計汽車尾燈(轉向燈)電路效果如下圖所示: 即當汽車進行轉彎時,司機打開轉向燈,尾燈會根據轉向依次被點亮,經過一定的間隔后,再全部被消滅。最后不停地重復,直到司機關閉轉向燈。 該效果可由以下電路實現: 完整電路圖如下: 電路設計要點 延時電路的……
行業數據|中國大陸基板類封裝產線名單
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 瀏覽次數: 2560
我一直在更新中國大陸的半導體封裝產線數據。今天更新一下基板類封裝的產線信息。包含引線類(Wire Bond)和倒裝類(Flip-Chip)兩類 麻煩大家幫忙確認,如果發現任何錯漏,請務必和我聯系。歡迎大家在公眾號內留言,或者和我微信交流(jamesg003) 注)由于我微信朋友較多,容易搞混,所以必須一一標……
碳化硅MOS管(SiC-MOSFET)
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 瀏覽次數: 7451
SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比,較高的熱導率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。
碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 瀏覽次數: 6067
由于在傳導過程中沒有額外的載流子注入和存儲,SBD 具有低反向恢復電流、快速關斷過程和低開關損耗。

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