Yole Development 的市場調查報告表明，自硅功率半導體器件誕生以來，應用的需求一直推動著結溫升高，目前已達到150℃。 隨著第三代寬禁帶半導體器件（如SiC）出現以及日趨成熟和全面商業化普及，其獨特的耐高溫性能正在加速推動結溫從目前的150℃邁向175℃，未來將進軍200℃。 借助于SiC的獨特高溫特性和低開關損耗優勢，這一結溫不斷提升的趨勢將大大改變電力系統的設計格局。這些典型的、面向未來的高溫、高功率密度應用，包括深度整合的電動汽車動力總成、多電和全電飛機乃至電動飛機
射頻前端(RFFE, Radio Frequency Front-End)芯片是實現手機及各類移動終端通信功能的核心元器件，全球市場超過百億美金級別。過去10年本土手機的全面崛起，為本土射頻前端產業的發展奠定了堅實的產業基礎；而5G在中國的率先商用化，以及全球貿易環境的變化，又給本土射頻行業加了兩捆柴火。射頻前端芯片產……
