利用聚焦電子束對(duì)某些高分子聚合物（電子束光刻膠）進(jìn)行曝光并通過(guò)顯影獲得圖形的過(guò)程。產(chǎn)生聚焦電子束并讓聚焦電子束按照設(shè)定的圖形掃描的設(shè)備就叫做電子束光刻機(jī)。

二極管的種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）

GaN 半導(dǎo)體晶體材料的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，綜述了近年來(lái)采用 HVPE 法生長(zhǎng)高質(zhì)量 GaN 晶體的主要研究進(jìn)展；對(duì) GaN 的摻雜特性、摻雜劑類型、生長(zhǎng)工藝以及摻雜原子對(duì)電學(xué)性能的影響進(jìn)行了詳細(xì) 介紹

RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)（RISC）原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學(xué)伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開(kāi)源計(jì)算機(jī)架構(gòu)中的一股強(qiáng)大力量。RISC-V架構(gòu)的出現(xiàn)和發(fā)展，不僅推動(dòng)了開(kāi)源計(jì)算機(jī)架構(gòu)的發(fā)展，也為智能汽車行業(yè)的未來(lái)發(fā)展提供了新的可能性和方向。上海交通大學(xué)深圳行業(yè)研究院首席科學(xué)家、院長(zhǎng)助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊針對(duì)RISC-V框架在智能汽車領(lǐng)域的運(yùn)用進(jìn)行探討

一、增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu) 1.增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu) ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴(kuò)散工藝制作成兩個(gè)高摻雜的N+區(qū)，并引出兩個(gè)電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導(dǎo)體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極……

在汽車電子向智能化，信息化和網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展的今天，汽車芯片迎來(lái)了一個(gè)全新的發(fā)展契機(jī)，車用芯片AEC-Q驗(yàn)證中經(jīng)常會(huì)碰到什么問(wèn)題？金鑒實(shí)驗(yàn)室在下面的問(wèn)題上給大家一個(gè)答案。

SoC，系統(tǒng)級(jí)芯片，汽車系統(tǒng)級(jí)SoC主要面向兩個(gè)領(lǐng)域，一是駕駛艙，二是智能駕駛，兩者的界限現(xiàn)在越來(lái)越模糊。隨著汽車電子架構(gòu)的演進(jìn)，新出現(xiàn)了網(wǎng)關(guān)SoC，典型的代表是NXP的S32G274A。通常網(wǎng)關(guān)SoC不需要太強(qiáng)算力，不過(guò)S32G274A有4個(gè)Cortex-A53內(nèi)核，達(dá)到低端座艙的水準(zhǔn)。 英偉達(dá)Orin的內(nèi)部框架圖 Orin是一個(gè)典型的智能駕駛SoC

近兩年，隨著新能源汽車保有量的增加，新能源汽車自燃的案例也逐漸頻繁。而新能源汽車由于是這兩年備受關(guān)注的焦點(diǎn)，發(fā)生自燃也是“自帶光環(huán)”。 據(jù)國(guó)家應(yīng)急管理部消防救援局的數(shù)據(jù)顯示，2022年第一季度，國(guó)內(nèi)接報(bào)的新能源汽車火災(zāi)共計(jì)有640起，同比上升32%，平均算下來(lái)，國(guó)內(nèi)每天就發(fā)生超過(guò)7起新能源汽車起火事件。 ……

晶圓經(jīng)過(guò)前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過(guò)切割使晶圓上的芯片分離下來(lái)，最后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同： 厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割； 厚度不到100um的晶圓一般使用激光……

減薄晶片有四種主要方法，（1）機(jī)械研磨，（2）化學(xué)機(jī)械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）等離子體干法化學(xué)蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來(lái)與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來(lái)使基板變薄。 打磨 機(jī)械研磨 機(jī)械（常規(guī)）磨削–該工……

IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。通過(guò)鍵合線使芯片間構(gòu)成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內(nèi)部實(shí)現(xiàn)電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發(fā)展，許多金屬鍵合線被廣泛的應(yīng)用到IGBT功率模塊互連技術(shù)中。目前，常用的鍵合線有鋁線、金線、、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術(shù)中常用材料的性能。 表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性 1.鋁線鍵合 鋁線鍵合是

摘 要 ……