一、ESD帶電器件模型 帶電器件模型（Charged-Device Model - CDM）是第三種重要的元器件靜電放電耐受閾值的測試方法。CDM 模型與之前討論的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模擬人體(Human Body)或機器設備（Machine）帶電后對元器件放電，而 CDM模型則是……

第一代半導體Si基 二極管 簡介：單個PN結結構，導通和斷開兩種狀態，不具備放大，單向導通；? 無外部電流、電壓控制，就是0和1的狀態，電壓電流較小。 應用：各種電子設備，工業設備。 晶體管：BJT 簡介：背靠背的PN結結構，通過電流驅動實現線性放大功能，具有放大工作區域，……

11月14日至18日，2022英特爾?FPGA中國技術周（IFTD）將與全球各市場同步線上舉辦，來自國內外的技術專家將在五天的時間里，從產品、軟件開發與設計、云計算、嵌入式、網絡五大主題領域展開技術詳解。每日一主題、每天兩小時，通過二十余場主題演講及技術方案分享，助您全覽英特爾?FPGA產品技術優勢和落地實踐方案。 ……

CFP（C form-factor pluggable）封裝最早由CFP MSA協會發布，用于支持早期的100G光模塊（”C”在拉丁字母中代表100）。CFP模塊尺寸較大，可以提供和主機間10*10G或者4*25G的電接口連接，支持最大功耗24W。后來隨著芯片技術的發展，又推出了更小封裝尺寸和更高性能的CFP2（12W）和CFP4（6W）以及CFP8（24W）標準。CFP8封裝于2017年推出，是為了支持早期的400G光模塊，其可以支持16路25G的NRZ信號以實現400G傳輸，但逐漸被更小的OSFP和Q

今年以來，各省市漸次下發的光伏指標規模已達近百GW，市場放量的同時也加速了逆變器企業新一輪競爭的到來。 根據最新資料統計，華電、大唐、國家電投等央國企先后啟動了超80GW的逆變器招標，已公布中標結果的企業報價只差毫厘。對于漸漸走出“價格戰”泥潭的逆變器企業，新一輪競爭焦點又在哪里？ ……

隨著摩爾定律推進并達到物理極限，基于新原理、新材料和新結構的半導體器件引發集成電路工藝變革，后摩爾時代已然到來。后摩爾時代，芯片技術發展的基本點：一是發展不依賴于特征尺寸不斷微縮的特色工藝，以此擴展集成電路芯片功能。二是將不同功能的芯片和元器件組裝在一起封裝，實現異構集成。三是通過新途徑來滿足人工智能算法和算力提升。我……

在2022 RISC-V中國峰會上，阿里平頭哥發布首個高性能RISC-V芯片平臺“無劍600”及SoC原型“曳影1520”。中科院院士、計算機專家倪光南表示，RISC-V將發展為世界主流CPU架構之一，是我國芯片產業掌握主動權的重要機遇。 近年來，RISC-……