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可控硅擊穿的三個主要原因?
  • 更新日期： 2022-03-17
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可控硅擊穿的三個主要原因 ??1.過壓擊穿： ??過壓擊穿是 可控硅擊穿的主要原因之一。可控硅幾乎沒有時間承受過電壓，即使在幾毫秒內，過電壓也會被擊穿。因此，在實際應用電路中，可控硅兩端必須連接RC 收回路，以避免各種不規則干擾脈沖引起的瞬時過電壓。如果晶閘管經常發生故障，請檢查收回路的部件是否燒壞或失效。 ……
模塊保護-過熱保護
  • 更新日期： 2022-03-17
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模塊保護-過熱保護 ??散熱狀況是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不僅可以保證模塊的可靠運行，防止模塊過熱燒毀，還可以提高模塊的電流輸出能力。 ??使用中，當散熱條件不滿足規定要求時，如房間溫超為40 ℃，強制風冷出口風速小于6m/s等。應立即降低模塊的額定電流，否則會因芯片結溫超的允許值過……
重磅發布！立創EDA專業版全離線客戶端！
  • 更新日期： 2022-03-17
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相信這一刻，你我都等待了太久，經過數個版本的公測，現終于發布專業版客戶端正式版本！當然，它依然是「免費」的！ 立創EDA會將免費國產PCB設計工具貫徹到底，立志于為用戶提供簡單易用且高效的設計工具！ 立創EDA專業版客戶端支持三大運行模式 ……
模塊保護-過壓保護
  • 更新日期： 2022-03-17
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模塊保護-過壓保護 ??晶閘管的過電壓能力極差。當元件的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，元件也會被反向擊穿損壞。如果直流電壓超過晶閘管的正向導通電壓，會導致晶閘管硬導通，不僅會使電路工作異常，而且在幾次硬導通后還會降低元件的正向導通電壓，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此，必須采取過電壓保護措施來抑制晶閘管……
恒流恒壓使用晶閘管控制模塊的技術解決方案
  • 更新日期： 2022-03-17
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恒流恒壓使用晶閘管控制模塊的技術解決方案 ??(1)關于模塊首次使用的常見問題 ??在使用該模塊之前，可以進行簡單的功能測試，可以測試恒流功能或恒壓功能，但選擇恒壓功能測試更方便。以下是關于首次使用的常見問題，可能對你有啟發。 ??調節給定信號時模塊無電流或電壓輸出，但給定信號和施加的12V電源正常。 ……
恒流晶閘管恒壓模塊的特點及應用
  • 更新日期： 2022-03-17
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恒流晶閘管恒壓模塊的特點及應用 ??1.介紹 ??在現代工業生產中，晶閘管因其技術成熟、大電流、高電壓而得到廣泛應用。在由晶閘管組成的自動控制系統中，許多是采用電流閉環控制的恒流和電壓控制的閉環的恒壓應用。然而，目前恒流大部分恒壓晶閘管裝置和產品受傳感器和控制電路的限制，體積大、結構復雜、調試困難、控制精度低。而且……
電源模塊的關鍵絕緣材料
  • 更新日期： 2022-03-17
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電源模塊的關鍵絕緣材料 ??在功率半導體模塊的發展中，隨著集成度的提高和體積的縮小，單位散熱面積的功耗增加，散熱成為模塊制造中的關鍵問題，但傳統的模塊結構(焊接和壓接)已經無法成功解決散熱問題。因此，對散熱背板與芯片之間的導熱絕緣材料提出了新的要求。目前，國內外電力電子行業使用的這類材料一般為陶瓷-金屬復合板結構，簡……
晶閘管模塊系列產品解答
  • 更新日期： 2022-03-17
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晶閘管模塊系列產品解答 ??(1)交流模塊和變壓器的調壓功能有什么區別？ ??變壓器可以將負載與電網隔離，按照設定的變比傳輸等量的功率；交流模塊不與電網隔離，只調節電網電壓。其傳輸功率受電流限制，隨電壓降低而降低。 ??(2)模塊的抗干擾能力如何？ ??該模塊適用于電網波形的急劇失真，即使主電路在大電……
喜訊 金航標電子公司2021年銷售業績倍增
  • 更新日期： 2022-03-17
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進入2021年以來，新冠疫情持續性肆虐。但是，深圳市金航標電子有限公司（www.bds666.com）在全體同仁的努力下，還是實現了業績翻倍的目標。金航標的兄弟公司薩科微半導體（www.xjgouwu.cn）有限公司，每個季度營業額達到了百分之40的復合型增長，實現了創始人宋仕強先生多年前規劃的金航標和薩科微兩……
模塊保護-過流保護
  • 更新日期： 2022-03-17
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模塊保護-過流保護 ??如果想獲得更安全的過流保護，建議用戶優先選擇內置過流保護功能的模塊。此外，還可以使用外部快速保險絲、快速過流繼電器和傳感器。快速熔斷是最簡單也是最常用的方法，介紹如下： ??(1)接線方式： 快速熔斷器接至模塊交流輸入端。以三相整流模塊和單相交流模塊為例。 ??(2……
什么是IGBT？
  • 更新日期： 2022-03-17
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什么是 IGBT？ ?? IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極晶體管。 ??在功能上，IGBT是一個電路開關，其優點是電壓控制，低飽和壓降和高耐壓。用于電壓幾十到幾百伏，電流幾十到幾百安培的高壓。此外，IGBT由計算機控制，沒有機械……
IGBT模塊是如何進行導通的？
  • 更新日期： 2022-03-17
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IGBT模塊是如何進行導通的？ ?? IGBT硅片的結構與功率MOSFET非常相似。主要區別是IGBT增加了P襯底和N緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術不增加這部分)。一個MOSFET驅動兩個雙極性器件。襯底的應用在管的P和N區域之間產生了J1結。當正柵極偏置使柵極下的P-基區反轉時，形成N溝道，同時出現電子電流，完全以功率MOSFET的方式產生電流。 ??如果這個電子流產生的電壓在0.7V的范圍內，那么J1會正向偏置，一些空穴會注入到N區，調整陽極和陰極之間的電阻率，減少了功率傳導的總損

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