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什么是MOS管？MOS管的功能和特點又是什么呢?
  • 更新日期： 2022-03-17
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什么是 MOS管？ MOS管的功能和特點又是什么呢? ??MOS場效應晶體管通常簡稱為場效應管，是一種基于場效應原理工作的半導體器件。與普通雙極型晶體管相比，FET具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗低、易于集成等特點，得到了越來越廣泛的應用。 ??場效應管 ??場效應晶體管有很多種，主要分為結型場……
薩科微基礎型電源開關拓撲結構圖分享（3）
  • 更新日期： 2022-03-17
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開關電源拓撲結構圖千變萬化，但不管如何變化基本是基于基礎型電源拓撲結構圖的組合或變形，基礎型開關電源拓撲結構圖歸納起來基本是14種，接下來就個大家做一下介紹。 二、基本的脈沖寬度調制波形 這些拓撲結構都與開關式電路有關，基本的脈沖寬度調制波形定義如下： 八、Tw……
四個氮化鎵在新應用領域下的機遇！
  • 更新日期： 2022-03-17
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2021年，隨著5G、消費電子、工業能源轉換和新能源汽車需求的增加，基站、換能器和充電站的需求將大幅增加，對氮化鎵和碳化硅饋線的需求將增加。 據 TrendForce集邦咨詢研究顯示，GaN功率元件至2025年市場規模將達 13.2億美元，年復合成長率高達 94%。 新應用下，氮化鎵的“革命”！……
如何正確選擇mosfet場效應管
  • 更新日期： 2022-03-17
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如何正確選擇mosfet 場效應管 ??場效應晶體管廣泛應用于模擬電路和數字電路，與我們的生活息息相關。場效應管的優點是：第一，驅動電路相對簡單。場效應管所需的驅動電流比BJT的小得多，通常可以直接由CMOS或開路集電極TTL電路驅動。場效應晶體管的開關速度相對較快，由于沒有電荷存儲效應，可以以更高的速度工作。此外，……
IGBT單管和MOS管有哪些區別呢？
  • 更新日期： 2022-03-17
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IGBT單管和MOS管有哪些區別呢？ 怎么區別IGBT單管和MOS管呢？我們可以從以下三點進行分析。 1.結構上，以n型溝道為例，IGBT與MOS管的區別在于MOS管的襯底為n型，IGBT的襯底為p型。2.原則上， IGBT相當于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導通電阻，但同時也會引入拖尾電流等問題。 3.從產品來看， IGBT一般用于高壓電源產品，從600伏到幾千伏不等； MOS管的應用電壓相對較低，從10伏到1000伏左右。 公司電話
薩科微分享比較常見的開關電源拓撲圖（2）
  • 更新日期： 2022-03-17
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開關電源拓撲圖，作為電子工程師來說應該并不陌生，比較常見的基礎型拓撲圖大約14種，每種都有自身的特點和適用場合。另外還有更多的拓撲結構圖大多也是這些基礎型的組合或變形。以下分享兩種比較常見的，了解下它們電路結構的工作原理與基本特性。 一、Buck 降壓 特點： ■把輸入降至一個較低的電壓……
IGBT場效應管的工作原理和檢測方法
  • 更新日期： 2022-03-17
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IGBT場效應管的工作原理和檢測方法 IGBT，又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管(BJT)和絕緣柵場效應晶體管(MOS)組成的復合全控電壓驅動功率半導體器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。因此，它可以被視為金屬氧化物半導體輸入的達林頓晶體管。 它結合了MOSFET高輸入阻抗和GTR低導通壓降的優點，具有易驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高(10-40hz)等特點。它已逐漸取代晶閘管和門極關斷晶閘管(GTO)，是目前發展最快的新一代電力電子器件。廣泛應用于小體積高效
薩科微比較常見開關電源拓撲結構介紹（一）
  • 更新日期： 2022-03-17
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什么是拓撲？所謂電路拓撲，就是電路中功率器件和電磁元件的連接方法，而磁性元件的設計、閉環補償電路的設計以及其他所有電路元件的設計都依賴于拓撲。最基本的拓撲有降壓（buck）、升壓（boost）和降壓/升壓（boost/buck）、非對稱反激（isolated flyback）、正向、推挽、半橋和全橋變換器。 ……
場效應管的作用是什么？
  • 更新日期： 2022-03-17
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場效應管用在電路中一般起什么作用? 場效應管是電壓控制器件，場效應管的漏源極之間的距離相當于一個電阻，所以電路中使用的場效應管通常起到電壓控制電阻的作用，即電壓控制電流。 具體來說，一是制造像BJT那樣的高速電子開關，例如電磁爐，二是進行放大等模擬控制。 具體來說，您可以閱讀有關模擬電子技術的書籍。 一般情……
醉的局——暨川渝電子人聯誼會前奏曲
  • 更新日期： 2022-03-17
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做出人生第一筆1萬元的公益投資決定并打款后，剛到深圳華強北撈金的偉哥（恒利泰科技總經理黃偉）內心開始膨脹，他決定吹響外焦里嫩的號角，在望江樓組個500元的高端酒局，試一試成都荷花池的水盆能裝多少蒜。 偉哥最壞的打算 偉哥內心做好了最壞的打算，如果你們不給面子，那就別怪我渣渣哇……
中國信息產業商會電子元器件應用與供應鏈分會ECAS第二屆理事會第四次會議圓滿結束
  • 更新日期： 2022-03-17
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12月16日下午，中國信息產業商會電子元器件應用與供應鏈分會（ECAS）第二屆理事會第四次會議在深圳召開。分會理事長周繼國，副理事長馮偉、王玉成、葉德仁、劉紅兵、朱葉慶、李宏輝、陳智紅、劉杰、吳振洲、吳守農，理事楊林杰、梅華、李明駿、任武明等出席會議。分會秘書長熊宇紅主持會議。深圳市薩科微半導體有限公司總經理宋仕強先生……
P溝道增強型場效應管導通條件
  • 更新日期： 2022-03-17
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P溝道增強型場效應管的導通條件是柵極電位低于漏極電位。 柵極電位比漏極電位低得越多，就越趨于導通。一般低于漏極電位15V就可以完全導通。壓差太大就會形成柵極擊穿。想關閉就要把柵極電位拉回漏極。 結型場效應管只有（耗盡型）；MOS管有（增強型）和（耗盡型）。 增強型：就是UGS=0V時漏源極之間沒有導電溝道，只有當UGS>開啟電壓(N溝道)或UGS<開啟電壓(P溝道)才可能出現導電溝道。 耗盡型：就是UGS=0V時,漏源極之間存在導電溝道。 場效應管分為N溝

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